北京中科新微特科技开发股份有限公司 main business:技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让、技术培训；计算机软硬件开发；销售半导体生产设备、机械电子产品、有线通讯器材、网络设备、计算机软硬件及外部设备；半导体器件与集成电路设计；技术进出口、货物进出口、代理进出口。（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 110105003165872
- 91110105726334827M
- 开业
- 其他股份有限公司(非上市)
- 2001年08月13日
- 罗家俊
- 5450.000000
- 2001年08月13日 至 永久
- 北京市工商行政管理局朝阳分局
- 2018年05月28日
- 北京市朝阳区北土城西路11号微电子研究所综合楼4层
- 技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让、技术培训；计算机软硬件开发；销售半导体生产设备、机械电子产品、有线通讯器材、网络设备、计算机软硬件及外部设备；半导体器件与集成电路设计；技术进出口、货物进出口、代理进出口。（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 北京中科新微特科技开发股份有限公司 | http://xwtstar.com |
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 13708621 |  |
中科新微特 | 2013-12-12 | 半导体器件；超高频管；电容器；电子芯片；芯片(集成电路)；发射管；放大器；集成电路；晶体管(电子)；电阻器； | 查看详情 |
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103840007B | 一种屏蔽栅结构的VDMOS晶体管 | 2017.04.19 | 本发明公开了一种屏蔽栅结构的VDMOS晶体管，属于半导体技术领域。所述晶体管包括：第一导电类型衬底； |
| 2 | CN103675639B | 一种功率VDMOS器件低温远程在线测试系统 | 2017.01.18 | 本发明提供了一种功率VDMOS器件低温远程在线测试方法，包括以下步骤：连接硬件设备，并进行调试以确保 |
| 3 | CN103904120B | 一种具有网状外延结构的超结MOSFET | 2017.01.11 | 本发明属于半导体技术领域，公开了一种具有网状外延结构的超结MOSFET，包括：衬底、网状外延层、阱区 |
| 4 | CN103904119B | 一种具有纵向屏蔽栅的Trench MOSFET及其加工方法 | 2016.08.17 | 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种具有纵向屏蔽栅的TrenchMOSFET，包括：衬底；外延层 |
| 5 | CN103293390B | 一种功率MOSFET器件串联电感的测试电路 | 2016.02.03 | 本发明公开了一种功率MOSFET器件串联电感的测试电路，属于半导体器件测试技术领域。所述测试电路包括 |
| 6 | CN104766884A | 抑制寄生晶体管开启的VDMOS结构及其制造方法 | 2015.07.08 | 本发明提供一种抑制寄生晶体管开启的VDMOS结构及其制造方法，该VDMOS结构包括：衬底；覆盖衬底的 |
| 7 | CN104733445A | ESD保护结构、包括该结构的栅控功率器件及制造方法 | 2015.06.24 | 本发明提供了一种ESD保护结构、包括该结构的栅控功率器件及制造方法。该ESD保护结构包括：第一导电类 |
| 8 | CN104733535A | 一种功率MOSFET | 2015.06.24 | 本发明提供了一种功率MOSFET，包括：衬底；外延层，外延层覆盖衬底；源掺杂区，源掺杂区位于外延层内 |
| 9 | CN203889308U | 元器件存放用泡棉及其存放装置 | 2014.10.22 | 本实用新型提供了一种元器件存放用泡棉及其存放装置。所述元器件存放用泡棉上设置有凹槽，其中所述元器件存 |
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